中金指出辽源钢绞线一米多重，在AI算力走向密度、流畅满载、强瞬态冲击之后，压架构是数据中心供电系统发展的详情向。在硬件技能高挪动下，2026年数据中心压架构迎来落地元年。中金以为，SiC/GaN等中枢三代化物半体器件有望捏续受益于数据中心电力有筹议统升，SiC有望统机房侧（灰区）哄骗，而GaN有望在机柜内（白区）大限制渗入，从灰、白隔离界线酿成“SiC左，GaN向右”的阛阓神志辽源钢绞线一米多重，共同受益于数据中心电源案迭代。 全文如下
中金 | AI进化论（19）：SiC向左，GaN向右，三代半体成为数据中心压架构的然解
中金商讨
在AI算力走向密度、流畅满载、强瞬态冲击之后，压架构是数据中心供电系统发展的详情向。在硬件技能高挪动下，2026年数据中心压架构迎来落地元年。咱们以为，SiC/GaN等中枢三代化物半体器件有望捏续受益于数据中心电力有筹议统升，SiC有望统机房侧（灰区）哄骗，而GaN有望在机柜内（白区）大限制渗入，从灰、白隔离界线酿成“SiC左，GaN向右”的阛阓神志，共同受益于数据中心电源案迭代。
纲领
数据中心供电案变革之下，SiC/GaN产业需求有望迎来彰着受益，钢绞线有望带来浩繁的阛阓空间。在数据中默算力芯片功率密度擢升，动力救援率条目不断严苛的配景下，三代化物半体SiC/GaN凭借物理特势，有望在机房侧和机柜侧徐徐对Si基功率半体酿成替代。咱们测算，2030年单MW数据中心树立对应的SiC器件/GaN器件有望分别达到1.0/2.1万颗，对应单MW价值量有望达22万/4.9万好意思元，阛阓空间可不雅。
从投资节律上来看，短期压架构对三代半体供给冲击有限，恒久期权应被理订价。结Semi Analysis的商经营断，咱们招供数据中心供电架构的变革会阅历四个发展阶段，2026-2030年间，机柜（白区）及机房（灰区）侧有望徐徐被800V/±400VDC系统转变，并初始三代化物半体需求增长。短期1-2年内800V边柜（Sidecar）引的过渡架构可能对SiC的需求拉动有限，然而跟着：1）机柜侧刀片降压以致800V-6V的密度电源救援、2）机房侧逼近整流、3）SST等需求落地，咱们以为SiC/GaN有关公司的恒久期权应被理订价。
企业迎来详情成长契机。咱们以为企业已在SiC/GaN域完了度布局，竞争力捏续擢升；昔日三代化物半体产业链公司有望较大幅度受益于数据中心压架构的渗入。
风险
800VDC产业经由不足预期或OCP±400V案替代风险；行业竞争加重及价钱下行风险；客户认证及订单变调不足预期风险。手机号码：13302071130相关词条:铝皮保温施工 隔热条设备 钢绞线 玻璃棉卷毡 保温护角专用胶
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