在各人半体产业握续向精度、能迈进的关键时候，中微半体拓荒(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”，证券代码“688012”)在十四届半体拓荒材料及中枢部件展(CSEAC 2026)时期晓谕出多款全新自主研发的端微不雅加工拓荒，粉饰宽比刻蚀、等离子体增强化学气相千里积、原子层千里积、金属薄膜千里积及碳化硅外延等关键赛说念。这是继本年3月SEMICON China发布四款新品后，中微公司在半年内又次密度新品鸠合亮相，充分展现了公司苍劲的工夫迭代才能与的后果滚动节律，卓越拓宽了公司的端拓荒产物矩阵，完了了逻辑制程、功率半体工艺、薄膜千里积、精密刻蚀等中枢要领的全粉饰，补王人多场景、全链条的工艺拓荒治理案才能。

中微公司CSEAC展会现场

中微公司新品发布会现场 

刻蚀打破：Primo XD-RIE™破解宽比刻蚀瓶颈

跟着3D NAND、DRAM等存储芯片握续向堆叠层数、清雅制程线宽迭代升，宽比刻蚀工夫，成为制约存储器件制造工艺进阶的中枢瓶颈，奏凯影响端存储芯片的能升与量产落地。

中微公司全新出的Primo XD-RIE™70到90比1宽比刻蚀机，依托自主学问产权研发造，在多项有益保护的中枢工夫上完了打破，适配存储芯片的端制造需求。该拓荒选择全新自研工艺气体架构，在保险刻蚀工艺能的同期，有裁减温室气体排放，完了工艺能与绿坐褥的兼顾。拓荒具备多脉冲的大功率频射频电源，搭配可调波形大功坦爽流偏压电源，低温刻蚀系统全位化刻蚀精度与刻蚀率，大幅拓宽工艺适配窗口。

中微公司Primo XD-RIE™

在中枢硬件假想上，拓荒选择耐低温、击穿电压的能静电吸盘，同期搭载业内创的4区磁线圈聚焦的等离子体散措施节组件与等离子体边际鞘层主动调治工夫，结耐强腐蚀气体的用腔体结构，粗略适配端、精度的严苛工艺工况，保险拓荒恒久踏实、开动，大幅进步量产可靠。

依托甚频射频化刻蚀遴荐比、大流结构拓宽工艺窗口等中枢工夫势，Primo XD-RIE™宽比刻蚀机粗略全位适配存储器件的迭代升需求，为端三维存储芯片制造提供工夫先、踏实可靠的刻蚀工艺治理案，助力国内存储制造产业质料发展。 

四款薄膜千里积拓荒王人发，构建存储中枢工艺矩阵

在刻蚀拓荒获取打破的同期，中微公司在薄膜千里积进取也张开了布局。本次发布会出的四款有益保护的全新自研拓荒，粉饰了端三维存储与逻辑芯片的中枢薄膜工艺要领，卓越丰富了中微公司的薄膜产物谱系，也在定进程上缓解了国内关连端拓荒的供给垂危样式。

Performo QuaStar®系列：破叠层千里积的率天花板

Performo QuaStar®是中微公司全新研发的PECVD系列拓荒。该系列款产物Performo QuaStar® ON，直面3D闪存制造中具挑战的氧化硅/氮化硅叠层千里积工艺。该拓荒配有四个响应腔，每个响应腔配备4个响应台，单系统多可同期处理16片晶圆，在单元面积产出与综运营资本面均展现出权臣势。同期，三代D-RID射频系管辖来了快的千里积速度与的膜质施展；毫秒工艺牺牲才能确保了叠层之间膜厚与能的度致；而经由尽心假想的每台相对立的对称温场、流场与等离子体场，则为晶圆名义的均匀提供了坚实保险。

中微公司Performo QuaStar® ON

同期发布的Performo QuaStar® GE，则将视线推广至存储与逻辑芯片制造中庸俗使用的硅基PECVD介质薄膜品类，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等多种材料体系。该拓荒雷同选择4响应台单腔树立，单系统可同期千里积多12片晶圆。4个响应台之间以物理进攻式布局，配度对称的腔体假想，使得每片晶圆都能跻身于度致的工艺环境中，保证了千里积薄膜的致。值得提的是，编削的晶圆传输机制大幅减少了腔室内的机械看成，有裁减了颗粒稠浊风险。

中微公司Performo QuaStar® GE 景德镇预应力钢绞线厂

Prefima Unicore™ AM：占钼基字线产业窗口期

Prefima Unicore™ AM是中微公司自主研发的12英寸原子层千里积金属钼拓荒，为三维堆叠场景下的字线填充工艺造，是将来端存储芯片走向层数时绕不开的关键装备。

中微公司Prefima Unicore™ AM

该产物在收受上代ALD W训诫架构的基础上，创了小尺寸紧凑型响应布局，以四响应台树立在单元拓荒面积产能上完了了权臣跃升。其搭载的速气体切换系统粗略以毫秒精度掌控原子层千里积的每个工艺周期，从而兼顾异的台阶粉饰率与低电阻特。先行者体分气系统的引入，有遗弃了响应台之间的速度偏差；而固态源温控梯度的自主打破，预应力钢绞线则为相连批量坐褥条目下的工艺致提供了可靠保险。

凭借出货率、紧凑占地与低化学品耗用等综势，再配以对翘曲晶圆的清雅适配才能，Prefima Unicore™ AM为存储厂商搪塞层数堆叠的工夫挑战提供了富裕竞争力的选项，有望在各人存储龙头鸠合向钼基字线切换的产业窗口期内来源卡位。

Preforma Uniflash® SPTi/TiN：拓展金属薄膜千里积新疆土

Preforma Uniflash®金属硅化物集成系统，是中微公司面向12英寸节点自主研发的体化薄膜千里积系统。该系统将原位遴荐前清洁、等离子体增强化学气相千里积金属钛，以及原子层千里积氮化钛三类中枢工艺模块集于体，粗略有劲因循逻辑与存储器件在金半斗争、保护层及衬垫层、电容电等关键要领的制造需求。

中微公司Preforma Uniflash® SPTi/TiN

在平台假想上，该系统沿用了中微公司标记的双响应台架构，多可集成五个双响应台工艺腔(蓄意十个响应台)。这树立在兼顾真空与多工艺集成要求的同期，完了了业界先的产出率。工艺施展面，系统在轻微尺寸、宽等到复杂三维结构等严苛场景下，均展现出异的台阶粉饰才能与遴荐千里积能，其稠浊物牺牲水平、薄膜均匀、遴荐等到坐褥率等中枢所在，均已达到水准。

该系统的问世，标记着中微公司在金属薄膜千里积这关键赛说念上得胜开辟了新的疆土，也充分印证了公司在多元化薄膜工艺开发、复杂集成系统假想等域的厚积聚与硬核实力。

泛半体拓展：PRISMO PDS8®布局碳化硅外延

PRISMO PDS8®是中微公司面向碳化硅外延工艺出的新式温滋长拓荒。该拓荒基于公司在氮化镓外延MOCVD域多年的工夫积淀，并度融了市集与客户需求。硬件面，拓荒多可树立四个响应腔，支握四片8英寸外延片同期加工。其垂直响应器选择自主学问产权假想，兼具异的厚度和掺杂均匀与长爱戴周期；符SEMI圭表的片盒到片盒传送系统，兼顾了可靠开动与低颗粒稠浊物牺牲。在工艺牺牲层面，拓荒集成及时温度监测系统与基于模子的精度温控算法，可完了外延滋长温度的调控。

中微公司PRISMO PDS8®

该产物的得胜开发，是公司“三维立体滋长”策略在泛半体域的又次得胜实际，同期为公司在新材料、新工艺进取的握续拓展积聚了难得劝诫，夯实了泛半体拓荒布局的纵基础。

平台化策略握续化，迈向综拓荒平台军者

自2004年拓荒以来，中微公司已开发出54种端半体拓荒，包括26种等离子体刻蚀机和24种种种薄膜拓荒、化学机械抛光拓荒和部重量检测拓荒，累计过8800个响应台在国表里220余条坐褥线上完了量产。自2012年于今，中微公司已相连14年保握平均年销售35以上的增长，东说念主均年销售额达到了450万元，和先的拓荒公司握平，公司的工作坐褥率远于先的拓荒公司。

公司握续加大研发编削力度，自主开发的种种新产物对标同类拓荒工夫水准，多款机型经客户端考证，关键能所在达到水平，部分所在于国外标配拓荒。当今公司的五十多种拓荒产物还是粉饰了过30前说念集成电路拓荒产物，将来，公司将通过自主开发与外延并购，粉饰60以上的集成电路端拓荒市集和70以上的封装拓荒市集，成为各人先的端拓荒平台型公司。

中微公司将持续坚握“三维立体滋长”与“有机滋长和外延推广”相结的策略，握续妥当在集成电路关键拓荒域的中枢竞争力和势，不断拓展泛半体关键拓荒诳骗，并通过握续的工夫升和度的产业链作探索新兴域，罗致“五个十大”的企业文化，使企业总能量、对外竞争的净能量大化，完了速、踏实、健康、安全的质料发展，在限度、产物竞争力和客户闲散度上尽早成为梯队的微不雅加工拓荒公司。

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